首頁 > SCI期刊 > SCIE期刊 > 物理與天體物理 > 中科院4區 > JCRQ4 > 期刊介紹
評價信息：
影響因子：0.8
年發文量：162
《技術物理快報》(Technical Physics Letters)是一本以物理-物理：應用綜合研究為特色的國際期刊。該刊由Pleiades Publishing出版商創刊于1997年，刊期Monthly。該刊已被國際重要權威數據庫SCIE收錄。期刊聚焦物理-物理：應用領域的重點研究和前沿進展，及時刊載和報道該領域的研究成果，致力于成為該領域同行進行快速學術交流的信息窗口與平臺。該刊2023年影響因子為0.8。CiteScore指數值為1.5。
Technical Physics Letters is a companion journal to Technical Physics and offers rapid publication of developments in theoretical and experimental physics with potential technological applications. Recent emphasis has included many papers on gas lasers and on lasing in semiconductors, as well as many reports on high Tc superconductivity. The excellent coverage of plasma physics seen in the parent journal, Technical Physics, is also present here with quick communication of developments in theoretical and experimental work in all fields with probable technical applications. Topics covered are basic and applied physics; plasma physics; solid state physics; physical electronics; accelerators; microwave electron devices; holography.
《技術物理快報》是《技術物理》的姊妹刊，它快速發表具有潛在技術應用的理論和實驗物理學的發展成果。最近的重點包括許多關于氣體激光器和半導體激光的論文，以及許多關于高溫超導的報告。母刊《技術物理》對等離子體物理學的出色報道也出現在此刊物中，它快速傳播所有領域理論和實驗工作的發展成果，并可能具有技術應用。涵蓋的主題包括基礎和應用物理學；等離子體物理學；固體物理學；物理電子學；加速器；微波電子設備；全息術。
《Technical Physics Letters》(技術物理快報)編輯部通訊方式為MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。如果您需要協助投稿或潤稿服務，您可以咨詢我們的客服老師。我們專注于期刊咨詢服務十年，熟悉發表政策，可為您提供一對一投稿指導，避免您在投稿時頻繁碰壁，節省您的寶貴時間，有效提升發表機率，確保SCI檢索（檢索不了全額退款）。我們視信譽為生命，多方面確保文章安全保密，在任何情況下都不會泄露您的個人信息或稿件內容。
2023年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
2022年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
2021年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
2021年12月基礎版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
2021年12月升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
2020年12月舊的升級版
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 | 否 | 否 |
基礎版：即2019年12月17日，正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表》；將JCR中所有期刊分為13個大類,期刊范圍只有SCI期刊。
升級版：即2020年1月13日，正式發布的《2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表升級版（試行）》,升級版采用了改進后的指標方法體系對基礎版的延續和改進，影響因子不再是分區的唯一或者決定性因素，也沒有了分區的IF閾值期刊由基礎版的13個學科擴展至18個，科研評價將更加明確。期刊范圍有SCI期刊、SSCI期刊。從2022年開始，分區表將只發布升級版結果，不再有基礎版和升級版之分,基礎版和升級版（試行）將過渡共存三年時間。
JCR分區等級：Q4
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 165 / 179 |
8.1% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 172 / 179 |
4.19% |
| Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | 文章自引率 |
| 0.22% | 100.00% | -- |
| 開源占比 | 出版國人文章占比 | OA被引用占比 |
| -- | -- | -- |
名詞解釋：JCR分區在學術期刊評價、科研成果展示、科研方向引導以及學術交流與合作等方面都具有重要的價值。通過對期刊影響因子的精確計算和細致劃分，JCR分區能夠清晰地反映出不同期刊在同一學科領域內的相對位置，從而幫助科研人員準確識別出高質量的學術期刊。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數 | ||||||||
| 1.5 | 0.362 | 0.355 |
|
名詞解釋：CiteScore是基于Scopus數據庫的全新期刊評價體系。CiteScore 2021 的計算方式是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。CiteScore基于全球最廣泛的摘要和引文數據庫Scopus，適用于所有連續出版物，而不僅僅是期刊。目前CiteScore 收錄了超過 26000 種期刊，比獲得影響因子的期刊多13000種。被各界人士認為是影響因子最有力的競爭對手。
歷年中科院分區趨勢圖
歷年IF值(影響因子)
歷年引文指標和發文量
歷年自引數據
2019-2021年文章引用數據
| 文章引用名稱 | 引用次數 |
| Conditions of Attaining a Superhard Stat... | 11 |
| Room Temperature Lasing of Single-Mode A... | 7 |
| Synthesis of Oxygen-Doped Graphitic Carb... | 7 |
| High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitti... | 7 |
| Adaptive Properties of Spiking Neuromorp... | 6 |
| A Precise Algorithm of Memristor Switchi... | 6 |
| Microwave Giant Magnetoresistance in [Co... | 5 |
| A New Type of Carbon Nanostructure on a ... | 5 |
| Studying the Pyroelectric Effect in AlN ... | 5 |
| Formation of Weak Singularities on the S... | 5 |
2019-2021年文章被引用數據
| 被引用期刊名稱 | 數量 |
| TECH PHYS LETT+ | 276 |
| TECH PHYS+ | 152 |
| SEMICONDUCTORS+ | 81 |
| PHYS SOLID STATE+ | 65 |
| PLASMA PHYS REP+ | 48 |
| IEEE T PLASMA SCI | 46 |
| J COMMUN TECHNOL EL+ | 40 |
| PHYS PLASMAS | 38 |
| J APPL PHYS | 34 |
| RUSS PHYS J+ | 34 |
2019-2021年引用數據
| 引用期刊名稱 | 數量 |
| TECH PHYS LETT+ | 276 |
| TECH PHYS+ | 115 |
| APPL PHYS LETT | 110 |
| PHYS SOLID STATE+ | 90 |
| J APPL PHYS | 88 |
| SEMICONDUCTORS+ | 87 |
| PHYS REV B | 70 |
| PHYS REV LETT | 52 |
| PHYS-USP+ | 45 |
| J PHYS D APPL PHYS | 33 |
中科院分區：1區
影響因子：7.7
審稿周期：約Time to first decision: 9 days; Review time: 64 days; Submission to acceptance: 82 days; 約2.7個月 約7.8周
中科院分區：1區
影響因子：8.1
審稿周期：約Time to first decision: 6 days; Review time: 44 days; Submission to acceptance: 54 days; 約4.1個月 約6.8周
中科院分區：3區
影響因子：3.3
審稿周期：約17.72天 11 Weeks
中科院分區：1區
影響因子：98.4
審稿周期： 約3月
中科院分區：2區
影響因子：5.8
審稿周期： 約2.4個月 約7.6周
中科院分區：2區
影響因子：5.1
審稿周期： 約1.9個月 約2.7周
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